产品概述

这款高性能双温区旋转管式炉代表了热处理技术的巅峰,专为需要精确温度梯度和卓越气氛控制的材料科学研究人员及工业制造商而设计。通过将旋转机构与双温区加热能力相结合,该系统确保了粉末处理、涂层应用和化学气相沉积(CVD)的卓越均匀性。该设备提供高达1500°C的稳定高温环境,是开发先进陶瓷、电池材料和半导体元件的重要工具。
该设备专为严苛的研发环境和小批量工业生产而设计,在物料搅拌对结果一致性至关重要的应用中表现出色。旋转管功能促进了物料在加热腔内的持续运动,防止团聚并确保每个颗粒都暴露在均匀的热场中。这一功能结合高纯度氧化铝纤维隔热材料和先进的PID控制,可在严苛条件下实现快速升降温,同时保持处理样品的结构完整性。
可靠性是该系统工程设计的核心。设备采用具有优化表面负荷设计的优质碳化硅(SiC)加热元件和坚固的机械驱动装置,专为长期运行的一致性而打造。无论是用于简单的煅烧还是复杂的多级气氛合成,该装置都能提供现代实验室标准所需的精度和耐用性。工业采购团队可以信赖该系统,其在全面的安全功能和模块化配置选项的支持下,能够提供可重复的数据和高质量的材料产出。
主要特点
- 双温区独立温度控制: 系统具有两个独立控制的加热区,允许用户创建精确的温度梯度或更大的均匀热区。这对于温度差异至关重要的升华工艺和气相传输尤为有利。
- 增强型碳化硅(SiC)加热元件: 配备直径14mm的SiC棒(大于行业标准的12mm),使炉体受益于更低的单位面积表面负荷。这种设计显著延长了元件的使用寿命,并确保了更稳定的热辐射。
- 卓越的隔热性能: 加热腔由高纯度氧化铝多晶纤维制成,采用先进的真空吸滤成型工艺制造。这种源自日本的技术实现了低热容、最小热传导和高反射率,从而提高了能源效率。
- 集成旋转机构: 管旋转功能确保粉末和颗粒材料在加热周期中持续翻转。这促进了热量分布和气固相互作用,对于均匀的掺杂或涂层工艺至关重要。
- 先进的30段PID控制器: 智能控制系统支持多达30个可编程段的复杂热曲线。它包括自整定功能和高精度调节,可在整个工作范围内保持±1°C的稳定性。
- 加长冷端设计: 加热元件具有210mm的冷端(标准为180mm),确保电气连接保持在较低温度。这一工程选择减少了接线上的热应力,并提高了电气系统的整体安全性和使用寿命。
- 全面的真空和气氛通用性: 该设备支持多种真空级别,从基本的机械泵抽真空到高达10⁻³ Pa的高真空分子泵系统。多种法兰选项(包括铰链式和水冷式)可实现气体输送和监测工具的无缝集成。
- 强大的安全保护: 内置空气开关和漏电保护器在过流或漏电时会自动切断电源。此外,系统还包括超温和热电偶断路保护,以防止在无人值守操作期间损坏硬件。
应用领域
| 应用 | 描述 | 主要优势 |
|---|---|---|
| 粉末煅烧 | 在旋转管内保持持续运动的同时对颗粒材料进行热处理。 | 防止颗粒烧结并确保均匀的相变。 |
| CVD / PECVD | 合成薄膜和纳米材料,如碳纳米管或石墨烯。 | 双温区控制可实现精确的气相传输和沉积速率。 |
| 电池材料研究 | 在受控气氛下合成和退火正极及负极材料。 | 粉末的均匀加热带来更好的一致性电化学性能。 |
| 陶瓷烧结 | 先进陶瓷粉末和前驱体的高温处理。 | 1500°C的能力允许处理高熔点技术陶瓷。 |
| 催化剂制备 | 涉及气固反应的催化剂载体浸渍和干燥。 | 管旋转最大限度地增加了暴露于反应气体的表面积。 |
| 半导体掺杂 | 在高温下将掺杂剂扩散到半导体晶圆或粉末中。 | 高精度(±1°C)确保了批次间可重复的掺杂曲线。 |
| 航空航天材料 | 耐高温复合材料和合金的测试与合成。 | 在长周期高温循环下性能可靠,适用于研发验证。 |
技术规格
| 规格 | TU-GS04-I | TU-GS04-II |
|---|---|---|
| 最高温度 | 1区:1500°C / 2区:1500°C | 1区:1500°C / 2区:1500°C |
| 额定温度 | 1区:1400°C / 2区:1400°C | 1区:1400°C / 2区:1400°C |
| 炉管尺寸 | Ø60 (外径) x 1200 mm | Ø80 (外径) x 1200 mm |
| 功率 | 9 KW | 9 KW |
| 电压 / 相数 | 220V / 单相 | 220V / 单相 |
| 加热元件 | 碳化硅 (SiC) 棒 | 碳化硅 (SiC) 棒 |
| 控制系统 | 宇电仪表30段PID (标准) | 宇电仪表30段PID (标准) |
| 控制精度 | ±1°C | ±1°C |
| 升温速率 | ≤20°C/min (建议10°C/min) | ≤20°C/min (建议10°C/min) |
| 热电偶类型 | S型 | S型 |
| 加热长度 | 300 mm | 300 mm |
| 恒温区长度 | 400 - 450 mm | 400 - 450 mm |
| 炉膛材料 | 氧化铝多晶纤维 | 氧化铝多晶纤维 |
| 触发器 | 移相触发 | 移相触发 |
| 可控硅 (SCR) | 106/16E SEMIKRON | 106/16E SEMIKRON |
| 真空度 | 10 Pa (标准) 至 10⁻³ Pa (可选高真空) | 10 Pa (标准) 至 10⁻³ Pa (可选高真空) |
| 表面温度 | ≤45°C | ≤45°C |
| 通讯接口 | RS485接口 (标准) | RS485接口 (标准) |
为何选择 TU-GS04
- 专为可靠性设计: 通过使用更厚的14mm SiC棒和更长的冷端,该系统最大限度地减少了元件磨损和电气热应力,提供了比入门级实验室炉更稳健的解决方案。
- 无与伦比的热效率: 日本技术的氧化铝纤维炉膛确保外部保持低温(≤45°C),同时保持最高的内部温度,从而降低能耗和实验室环境热量。
- 精确的多温区控制: 双温区功能允许创建复杂的热梯度,这对于单温区系统无法实现的先进化学气相传输和材料工程至关重要。
- 可扩展的真空解决方案: 从基本的气体置换到高真空分子系统,该炉可与多种泵组兼容,以满足特定的实验纯度要求。
- 行业领先的安全性: 集成的空气开关、漏电保护和自动超温切断功能,保护您的研究和设施免受电气和热危害。
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