产品概述

这款高温双滑动管式炉系统是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和快速热处理的尖端解决方案。通过将两个独立的加热单元安装在精密设计的滑动导轨上,该设备能够对热梯度和过渡速度进行无与伦比的控制。它专为满足材料科学研究人员的需求而设计,适用于在不同热区进行精确的气相反应和高质量薄膜沉积。
该系统主要用于半导体制造、纳米材料合成和先进涂层研究,在快速加热和冷却对于实现特定材料相至关重要的环境中表现出色。双炉配置实现了前驱体蒸发区和基底沉积区的物理分离,这是钙钛矿或二维晶体等复杂材料生长过程中的关键要求。目标行业包括航空航天、能源存储和光电子学,在这些领域,材料纯度和结构完整性对于下一代技术的发展至关重要。
该装置采用高纯度石英和先进的隔热材料,具有工业级的可靠性,可保持卓越的热稳定性。坚固的滑动机构和集成的射频等离子源确保设备在严苛的连续运行周期中表现稳定。该系统为高温合成提供了一个稳定且可重复的平台,使工业和学术实验室能够自信地执行复杂的实验方案,同时兼顾精度与安全。
主要特点
- 动态双炉滑动系统: 设备配备两个独立的加热炉,安装在 1200 毫米镀铬钢滑动导轨上。加热腔可手动移动长达 400 毫米,使用户能够在源蒸发区和沉积区之间切换,或者通过将热源移离样品来实现快速热淬火。
- 高性能射频等离子体集成: 系统配备 13.56 MHz、300W 射频发生器及自动匹配器,支持等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。与传统 CVD 相比,等离子源允许在显著较低的温度下进行薄膜生长,从而保护敏感基底的完整性。
- 快速热处理(RTP)能力: 通过预热一个加热炉并将其滑动至处理区域,系统可实现极高的加热和冷却速率(在特定范围内高达 15°C/秒),从而支持高温动力学和快速退火工艺的研究。
- 精密 PID 温度调节: 每个加热炉单元均由专用的 PID 自动控制器控制,具有 30 个可编程段。这确保了恒温区的精度达到 ±1°C,为敏感的化学气相沉积提供了必要的一致性。
- 先进的安全性和耐用性: 加热炉采用双层钢结构并配有空气冷却系统,以保持较低的外部表面温度。内置的超温报警和保护系统确保了在长周期沉积过程中的安全无人值守运行。
- 高纯度材料环境: 系统包含 50mm 外径的高纯度熔融石英管和不锈钢真空法兰。这种配置确保了适用于高纯度材料合成和低压处理的洁净、真空密封环境。
- 灵活的热梯度控制: 双区设计允许对前驱体和基底进行独立加热。这对于具有不同蒸气压的材料至关重要,可确保反应区内的化学计量平衡。
- 模块化扩展选项: 系统旨在随研究需求增长,支持可选的电动滑动导轨、多通道气体混合系统以及用于自动数据记录和曲线管理的 PC 控制模块。
应用领域
| 应用 | 描述 | 主要优势 |
|---|---|---|
| 钙钛矿太阳能电池 | 沉积过程中对 MAI 和 PbX2 蒸发区的独立控制。 | 精确调节薄膜厚度和晶粒尺寸均匀性。 |
| 二维材料合成 | 石墨烯、二硫化钼及其他过渡金属硫族化合物的大规模 CVD 生长。 | 高质量晶体结构,生长参数可重复。 |
| 碳纳米管(CNT) | 使用金属催化剂在各种基底上进行低温 PECVD 生长。 | 受控的密度、排列,并减少对基底的热损伤。 |
| 半导体薄膜 | 氮化硅或氧化硅钝化层的沉积。 | 在较低的热预算下实现卓越的介电性能和附着力。 |
| CsPbBr3 微晶 | 为不同前驱体提供独特的热梯度(例如 780°C 和 465°C)。 | 反应区内理想的化学计量比和相纯度。 |
| 热淬火研究 | 快速移动加热腔以引起温度骤降。 | 能够冻结高温相以进行冶金分析。 |
| 光电涂层 | 透明导电氧化物和多层干涉滤光片的沉积。 | 卓越的光学清晰度和批次间一致的薄膜厚度。 |
技术规格
| 参数 | TU-RT11 详情 |
|---|---|
| 产品编号 | TU-RT11 |
| 加热炉结构 | 双独立单元,双层钢结构,带空气冷却 |
| 最高工作温度 | 1200°C(< 1 小时) |
| 连续工作温度 | 1100°C |
| 加热区长度 | 每个炉 200 mm(总共 400 mm) |
| 恒温区 | 60 mm(±1°C @ 400-1200°C) |
| 滑动机构 | 手动镀铬钢导轨,1200 mm 长,400 mm 行程 |
| 加热速率(RT-150°C) | 15°C/秒 |
| 加热速率(150-250°C) | 10°C/秒 |
| 加热速率(250-350°C) | 7°C/秒 |
| 加热速率(350-500°C) | 4°C/秒 |
| 冷却速率(1000-950°C) | 15°C/秒 |
| 冷却速率(950-900°C) | 10°C/秒 |
| 冷却速率(500-400°C) | 1°C/秒 |
| 等离子体射频发生器 | 13.56 MHz,5-300W 可调,稳定性 ± 1% |
| 射频匹配 | 自动 |
| 处理管 | 高纯度熔融石英,50mm 外径 x 44mm 内径 x 1500mm 长 |
| 温度控制 | 双 PID 控制器,30 段,±1°C 精度 |
| 热电偶 | 两个 K 型热电偶 |
| 真空度 | 石英管限制在 1000°C;< 0.2 bar / 3 psi |
| 电源要求 | AC 120V 或 208-240V 单相,50/60 Hz,总功率 2.5 KW |
| 合规性 | CE 认证(等离子发生器和加热炉) |
为何选择 TU-RT11
- 先进的双区多功能性: 与标准管式炉不同,TU-RT11 的双滑动设计允许进行复杂的多级热处理和独立的前驱体管理,这对现代材料科学至关重要。
- 卓越的热敏捷性: 能够实现高达 15°C/秒的冷却和加热速率,为研究人员提供了模拟工业快速热处理(RTP)和淬火环境的工具。
- 精密工程: 凭借自动射频匹配和 ±1°C 的温度精度,该系统消除了 PECVD 中的变量,确保您的薄膜沉积具有可重复性且质量最高。
- 全面的合规性与安全性: 每台设备均通过 CE 认证,并采用双层安全结构构建,确保即使在高温、高功率射频操作下也能保持安全的实验室环境。
- 可定制的解决方案: 从用于高压应用的合金管到电动滑动和多通道气体输送,我们提供广泛的定制服务,以根据您的特定研究目标调整设备。
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