产品概述
这款高性能双炉系统专为先进二维材料的合成和复杂薄膜沉积而设计。通过将两个独立的加热炉单元集成在同一根80mm处理管上，该设备能够创建精确的温度梯度，并为升华和沉积过程提供独特的环境。其中一个加热炉为固定式，另一个配备高速滑动机构，使研究人员和工业工程师能够以极高的速度和重复性在高温区和环境温度之间移动样品。
该系统非常适合热化学气相沉积（TCVD）工艺，特别是在生产二维过渡金属硫族化合物（TMDC）单层材料和先进钙钛矿微晶方面。通过将前驱体蒸发区与生长区分开，该设备能够对蒸气压和化学计量比实现无与伦比的控制。双区配置的多功能性使其成为专注于石墨烯、碳纳米管和半导体薄膜的材料科学实验室及高科技研发设施的必备工具。
该设备专为严苛的工业用途而设计，优先考虑结构完整性和热稳定性。高纯度熔融石英、精密设计的加热元件以及稳固的直线滑动导轨系统的结合，确保了每个循环的一致性和可靠性。该装置为在真空或受控气氛条件下的连续运行提供了所需的耐用性，使采购团队和研究负责人对其长期资本投资充满信心。
主要特点
- 独立的双区控制： 该系统采用两个独立的加热单元，每个单元配备专用的PID温度控制器，可在不产生热干扰的情况下实现不同的升华和沉积温度。
- 通过滑动机构实现快速热处理： 右侧加热炉安装在双直线滑动导轨系统上，可移出生长区，实现约100°C/分钟的超快冷却速率，这对淬火阶段和保持材料形态至关重要。
- 精密直线运动： 滑动炉由200W电动机驱动，配有手动速度和方向控制，并由镀铬钢导轨支撑，确保在关键生长阶段实现平稳、无振动的移动。
- 先进的多区固定炉： 左侧固定单元采用三区配置（每区152.4mm），提供延长的恒温区，并允许对前驱体源的热分布进行微调。
- 高纯度石英处理环境： 直径80mm的熔融石英管为敏感反应提供了清洁、化学惰性的环境，支持高达1000 sccm的流量和高达0.4 bar的压力。
- 精密的温度调节： 系统配备FA-YD518P-AG控制器，提供30个可编程段，用于升温、保温和降温，并具有内置的自动调谐功能，可保持±1°C的精度。
- 耐用的加热技术： 掺钼的高质量铁铬铝合金加热元件提供了1200°C的最高工作温度，并具有出色的抗氧化性能，延长了使用寿命。
- 真空集成能力： 配备集成压力表的不锈钢真空法兰是标准配置，配合分子泵使用时，系统真空度可达10E-5 torr。
- 全面的安全监控： 系统包含内置的超温和热电偶故障报警功能，确保了高温循环期间设备和操作员的安全。
应用领域
| 应用 | 描述 | 主要优势 |
|---|---|---|
| TMDC单层生长 | MoS2、WS2及其他过渡金属硫族化合物的合成。 | 精确控制升华与沉积温度，获得高质量单层材料。 |
| 钙钛矿合成 | CsPbBr3及其他卤化物钙钛矿的气相沉积。 | 独立的区域控制通过蒸气压管理保持理想的化学计量比。 |
| 石墨烯制造 | 使用碳前驱体在金属催化剂上进行高温TCVD。 | 滑动炉实现快速淬火，以控制晶粒尺寸和层数。 |
| 碳纳米管（CNT）CVD | 催化剂介导的单壁或多壁纳米管生长。 | 高流量气体输送和恒定的温度区域确保均匀排列。 |
| 气相外延 | 在晶体衬底上受控生长薄膜。 | 前驱体与生长衬底之间的热干扰最小。 |
| 半导体掺杂 | 在受控气氛下将掺杂剂扩散到半导体晶圆中。 | 精密PID控制确保多批次间掺杂分布的可重复性。 |
| 纳米线合成 | 半导体和氧化物纳米线的气-液-固（VLS）生长。 | 快速冷却防止不必要的二次生长或相变。 |
技术规格
| 类别 | 规格 | 参数值 (TU-RT10) |
|---|---|---|
| 型号参考 | TU-RT10 系统 | 双炉滑动配置 |
| 滑动炉（右） | 炉体型号 | 单区 OTF-1200X |
| 滑动距离 | 300 mm | |
| 总加热区 | 440 mm | |
| 恒温区 | 150 mm (±1 °C) | |
| 最高温度 | 1200 °C (<1小时); 1100 °C (连续) | |
| 固定炉（左） | 炉体型号 | 三区 OTF-1200X-III-C |
| 加热区长度 | 152.4mm + 152.4mm + 152.4mm (总计450mm) | |
| 恒温区 | 200 mm (±1 °C) | |
| 最高温度 | 1200 °C (<1小时); 1100 °C (连续) | |
| 处理管 | 材质 | 高纯熔融石英 |
| 尺寸 | 外径80mm x 内径72mm x 长度1800mm | |
| 最大压力 | 0.4 bar (5.8 psi) | |
| 最大流量 | 1000 sccm | |
| 加热元件 | 类型 | 掺钼铁铬铝合金 |
| 温度控制 | 精度 | ±1 ºC (可选配Eurotherm ±0.1°C) |
| 可编程性 | 30段 (升温、降温、保温) | |
| 热电偶 | K型（随附四个） | |
| 滑动机构 | 导轨 | 双直线滑动导轨（镀铬钢） |
| 电机 | 208 – 240 VAC 单相, 200 W | |
| 电源要求 | 滑动炉 | AC 208-240V 单相, 3 kW |
| 固定炉 | AC 208-240V 单相, 4 kW | |
| 真空与气体 | 真空法兰 | 不锈钢，带真空表 |
| 极限真空 | 10E-5 torr (需配合分子泵) | |
| 合规性 | 标准 | CE认证 (可提供NRTL/CSA) |
为什么选择TU-RT10
- 卓越的热灵活性： 固定式三区炉与滑动式单区炉的独特结合，为市场上的复杂CVD工艺提供了最通用的平台。
- 久经考验的可靠性： 该设备采用优质合金加热元件和稳固的机械滑动系统，专为在密集研发环境中的长寿命和一致性性能而设计。
- 精密工程： 温度精度保持在±1°C以内，并配备高级直线运动组件，用户可以为敏感材料的合成获得高度可重复的结果。
- 可扩展与可定制： 模块化设计允许升级至Eurotherm控制器以实现更高精度，并可集成多通道气体输送系统，以满足特定的研究需求。
- 全面合规： 我们的系统均通过CE认证，并按照国际安全标准制造，确保可轻松集成到任何专业实验室或工业设施中。
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