产品概述

该高性能热处理系统专为需要对多个热区进行精确、独立控制的先进材料研究和工业开发而设计。通过利用双温区配置,该设备能够创建复杂的温度梯度,这对于化学气相传输(CVT)和物理气相沉积(PVD)等专业工艺至关重要。该系统的架构在单个单元内结合了两种不同的加热技术,为合成功能材料和生长高质量外延薄膜提供了一个多功能的平台。
该装置专为最苛刻的实验室和工业环境而设计,广泛应用于半导体研究、冶金和固态化学领域。它是研究人员进行过渡金属硫族化合物(TMD)纳米带生长和高纯度单晶开发的必备关键工具。坚固的结构确保系统即使在 1700ºC 的高温下运行,也能保持出色的热稳定性,从而在关键的研发项目中实现一致且可重复的结果。
可靠性和安全性是该设备设计理念的核心。系统采用双层钢制外壳和集成冷却风扇,可保持较低的外部表面温度,从而保护实验室人员和周边设备。使用高纯度纤维氧化铝绝缘材料不仅提高了能源效率,还有助于实现快速加热和冷却循环,从而最大限度地提高繁忙研究设施的生产效率。买家可以放心投资,因为该系统旨在承受持续高温运行的严苛考验,且不会影响性能。
主要特点
- 独立的双温区控制: 每个 12 英寸的加热区均由其独立的精密数字控制器管理,允许在总计 24 英寸的跨度内生成特定的热梯度或实现均匀加热。
- 先进的双元件技术: 第一温区采用碳化硅(SiC)元件,可在高达 1400ºC 的温度下稳定运行;第二温区采用二硅化钼(MoSi2)元件,最高温度可达 1700ºC,为多样的热曲线提供了无与伦比的灵活性。
- 精密 PID 温度管理: 系统配备双 30 段可编程数字控制器,通过可控硅(SCR)提供自动 PID 控制,确保精度在 ±1ºC 以内。
- 高纯度氧化铝绝缘: 炉膛内衬高密度纤维氧化铝,可最大限度地减少热量损失,并确保高度的温度均匀性,同时防止敏感样品受到污染。
- 增强的安全协议: 集成的超温报警器和自动保护电路允许安全、无人值守的操作,同时双层外壳保持外部环境凉爽。
- 真空就绪密封系统: 该设备包括带有内置阀门和压力表的重型不锈钢真空密封法兰,支持低压应用和惰性气氛处理。
- 高强度氧化铝工艺管: 系统支持多种管径(50mm、60mm 和 80mm),以适应不同的样品体积和产量要求,同时不会牺牲高温下的结构完整性。
- 强大的电力架构: 系统使用重型 UL 认证电源线,并要求配备 60A 空气开关,旨在高需求加热阶段提供稳定的电力输送。
- 多功能接口选项: 标准倒钩软管接头可升级为用于高真空应用的 KF25 适配器,或用于高压气体输送的 VCR 面密封接头,以满足特定的技术需求。
应用领域
| 应用 | 描述 | 主要优势 |
|---|---|---|
| TMD 纳米带生长 | 在过渡金属硫族化合物纳米带生长过程中精确控制硫族蒸汽压力。 | 独立调节蒸汽浓度,而不影响生长动力学。 |
| 化学气相传输 (CVT) | 在工艺管内建立稳定的温度梯度,用于化学蒸汽的迁移。 | 能够生长出如 PdCoO2 等大型高纯度单晶。 |
| 外延薄膜生长 | 在真空下利用 CVD 或 PVD 工艺在基底上沉积薄层。 | 生长区内的高温度均匀性确保了薄膜厚度的一致性。 |
| 催化热解 | 以受控速率加热废旧轮胎等工业废料,以分析副产物分布。 | 防止局部过热,确保高质量油气回收。 |
| 功能材料合成 | 使材料前驱体经受特定的热梯度,以诱导所需的相变。 | 可重复生产具有定制物理性能的先进材料。 |
| 半导体掺杂 | 在高温气氛控制下将掺杂剂扩散到半导体晶圆中。 | 精确的 30 段编程允许精确控制渗透深度。 |
| 陶瓷烧结 | 将先进陶瓷粉末高温固结成固体部件。 | 高达 10ºC/min 的快速加热速率优化了高密度陶瓷的加工时间。 |
技术规格
| 参数 | TU-74-50 | TU-74-60 | TU-74-80 |
|---|---|---|---|
| 管外径 | 50 mm | 60 mm | 80 mm |
| 管内径 | 44 mm | 54 mm | 74 mm |
| 管长度 | 1200 mm | 1200 mm | 1200 mm |
| 第一温区最高温度 | 1500ºC (SiC 元件) | 1500ºC (SiC 元件) | 1500ºC (SiC 元件) |
| 第二温区最高温度 | 1700ºC (MoSi2 元件) | 1700ºC (MoSi2 元件) | 1700ºC (MoSi2 元件) |
| 加热区长度 | 12" + 12" (300mm + 300mm) | 12" + 12" (300mm + 300mm) | 12" + 12" (300mm + 300mm) |
| 恒温区 | 14" (350mm) 在 ±1ºC 内 | 14" (350mm) 在 ±1ºC 内 | 14" (350mm) 在 ±1ºC 内 |
| 加热速率 | 最大 10ºC/min | 最大 10ºC/min | 最大 10ºC/min |
| 热电偶 | S型 (第一温区) / B型 (第二温区) | S型 (第一温区) / B型 (第二温区) | S型 (第一温区) / B型 (第二温区) |
| 控制精度 | ±1ºC | ±1ºC | ±1ºC |
| 总功率 | 9 KW | 9 KW | 9 KW |
| 电压 | 220-240V 单相 | 220-240V 单相 | 220-240V 单相 |
| 整体尺寸 | 780 x 450 x 720 mm | 780 x 450 x 720 mm | 780 x 450 x 720 mm |
| 合规性 | CE 认证 | CE 认证 | CE 认证 |
| 真空极限 | < 0.02 Mpa (1500ºC 下安全) | < 0.02 Mpa (1500ºC 下安全) | < 0.02 Mpa (1500ºC 下安全) |
为何选择 1700°C 高温双温区管式炉
- 卓越的工程设计与材料质量: 该系统结合了 SiC 和 MoSi2 加热元件,专为长寿命和精确性能而设计,这是普通炉具无法比拟的。
- 行业领先的热梯度控制: 每个温区独立的 30 段 PID 控制使研究人员能够以无与伦比的可重复性和准确性执行复杂的热曲线。
- 全面的安全与合规性: 该装置拥有 CE 认证和内置超温保护,符合现代工业和学术实验室的严格安全要求。
- 灵活且可扩展的配置: 从可调节的管径到可选的无线远程控制和 Labview 集成,该系统可以进行定制,以满足您设施的具体产量和数据记录需求。
- 在先进研发中的可靠性验证: 该设备是高端材料合成领域的主力产品,因其能够维持稳定的真空和温度环境而受到领先机构的信赖。
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