用于材料研究和 CVD 工艺的高温双温区真空管式炉

管式炉

用于材料研究和 CVD 工艺的高温双温区真空管式炉

货号: TU-GS03

最高工作温度: 1区:1700°C / 2区:1400°C 温度控制精度: ±1°C(30段可编程PID) 极限真空度: 高达 10-3 Pa(分子泵系统)
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产品概述

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这款高温双温区真空管式炉代表了热工程的巅峰之作,旨在促进尖端材料科学研究和工业研发。通过在单一水平管内集成两个独立的加热区,该系统能够创建复杂的温度梯度,或同时维持两个独立的加热环境。这种双重功能对于化学气相沉积 (CVD)、受控气氛烧结以及对精度和灵活性要求极高的复杂退火循环至关重要。该设备专注于提供高热效率和平衡的温度场,确保每个样本都能进行一致且可重复的处理。

该装置专为严苛的实验室环境设计,采用了先进的加热元件组合,特别是二硅化钼 (MoSi2) 和碳化硅 (SiC) 棒,以卓越的稳定性达到高温。双壳结构最大限度地减少了向外部环境的热损失,在保持较低表面温度以保障操作员安全的同时,提高了能源效率。目标行业包括半导体制造、先进陶瓷、航空航天冶金和大学研究机构。该系统旨在在连续高温运行下提供可靠的服务,让研究人员能够放心地执行长期实验,而无需担心硬件故障。

该设备不仅是一台炉子,更是一套完整的热处理解决方案。凭借集成的软件控制、复杂的真空管理和多层安全功能,它为现代材料合成提供了一个稳健的平台。无论是进行真空退火还是高温还原工艺,该装置都能保持对设定热曲线的严格遵循。高纯度氧化铝多晶纤维绝缘材料的集成确保了快速的热响应和抗热震性,使该炉成为需要高通量和严苛热处理协议精度的实验室的关键资产。

主要特点

  • 独立的双温区控制: 该系统具有两个可独立控制的加热区。这允许用户在每个区域设置不同的温度,从而促进复杂的温度梯度实验,或在同步时提供更大、更稳定的恒温区。
  • 先进的混合加热元件: 第一区采用优质 1800 级二硅化钼 (MoSi2) 棒,第二区采用稳健的碳化硅 (SiC) 棒。这种混合方法优化了炉子在宽温度范围内的加热曲线和使用寿命。
  • 精密 PID 温度管理: 该炉配备先进的数字仪表,提供 30 段可编程控制。它具有智能 PID 调节功能,精度达 ±1°C,确保即使是最敏感的工业流程也能保持在严格的公差范围内。
  • 高性能真空密封: 炉管由带有双层硅胶 O 型圈的不锈钢法兰固定。这种可伸缩且易于拆卸的设计确保了卓越的气密性,能够在 12 小时内保持真空水平而无明显的压力损失。
  • 卓越的绝缘技术: 加热室由优质氧化铝多晶纤维制成。选择这种材料是因为其高反射率、低导热性和抗粉化性,从而产生平衡的温度场并显著降低功耗。
  • 全面的软件集成: 内置的 485 通信接口允许通过计算机进行远程操作。随附的软件支持对 PV(过程值)和 SV(设定值)的实时监控、数据记录以及热曲线生成,以便对实验参数进行细致的记录。
  • 多级安全保护: 该装置包括一个开盖保护系统,在炉门打开时自动切断电源,此外还有漏电保护和超温报警功能,如果温度超过 1200°C 或检测到热电偶故障,将断开主电路。
  • 可定制的供气接口: 不锈钢法兰配有精密针阀和压力表。用户可以轻松集成浮子流量计或数字质量流量控制器,以便在烧结或还原测试期间进行精确的气氛控制。
  • 稳健的法兰支撑系统: 专用的法兰支架支撑组件,有效消除了刚玉管上的机械应力。这一工程细节通过防止重型法兰重量导致的断裂,显著延长了炉管的使用寿命。
  • 快速热循环: 加热速率高达每分钟 20°C(建议 10°C/分钟),设备允许快速启动和冷却,提高了实验室生产力,并能够快速探索材料的热性能。

应用领域

应用 描述 主要优势
化学气相沉积 (CVD) 用于在受控气体流量和真空下生长高质量薄膜和纳米管。 高纯度环境和双温区温度控制确保薄膜沉积均匀。
真空退火 在真空中对金属和合金进行应力消除,以防止氧化并提高机械性能。 卓越的密封性保持了材料的完整性并防止表面污染。
气氛烧结 在惰性或还原性气体中对陶瓷或金属粉末进行高温固结。 平衡的温度场带来更高的密度和更均匀的微观结构。
材料合成 通过精确的热循环和反应管理发现新化合物。 30 段编程允许进行复杂的多阶段反应协议。
脱气工艺 在高热和真空下从材料中去除挥发性成分或截留气体。 高真空能力 (10-3 Pa) 确保杂质被彻底去除。
还原测试 在氢气或一氧化碳环境中测试材料以观察化学变化。 集成的安全阀和质量流量接口允许进行安全且精确的气体管理。
航空航天研发 测试航空航天硬件的高温涂层和组件。 在高达 1700°C 的温度下表现可靠,可模拟极端飞行条件。

技术规格

参数 TU-GS03-60 TU-GS03-80
炉膛尺寸 (外径 x 长度) 直径 60mm x 1200mm 直径 80mm x 1200mm
额定功率 7 KW 7 KW
输入电压 220V, 单相 220V, 单相
最高工作温度 1 区: 1700°C / 2 区: 1400°C 1 区: 1700°C / 2 区: 1400°C
额定恒温 1 区: 1650°C / 2 区: 1350°C 1 区: 1650°C / 2 区: 1350°C
加热长度 (Z1/Z2) 210mm / 210mm 210mm / 210mm
恒温区 80mm / 80mm 80mm / 80mm
加热元件 Z1: 1800 MoSi2 棒 / Z2: SiC 棒 Z1: 1800 MoSi2 棒 / Z2: SiC 棒
温度精度 ± 1 ℃ ± 1 ℃
升温速率 ≤20 ℃/分钟 (建议 10 ℃) ≤20 ℃/分钟 (建议 10 ℃)
热电偶类型 1 区: B 型 / 2 区: S 型 1 区: B 型 / 2 区: S 型
炉膛材料 氧化铝多晶纤维 氧化铝多晶纤维
控制仪表 宇电 30 段 PID 宇电 30 段 PID
真空选项 标准: TW-1.5A / 高真空: 2XZ-2 标准: TW-1.5A / 高真空: 2XZ-2
极限真空度 10-1 Pa 至 10-3 Pa (取决于系统) 10-1 Pa 至 10-3 Pa (取决于系统)
触发类型 移相触发 移相触发
晶闸管控制 106/16E SEMIKRON 106/16E SEMIKRON
表面温度 ≤ 45°C ≤ 45°C
连接性 RS-485 接口 (标准) RS-485 接口 (标准)

为什么选择这款双温区系统

  • 无与伦比的热多功能性: 通过结合 1700°C 和 1400°C 的高温区,该炉实现了单温区炉无法实现的双阶段反应和梯度烧结,在先进材料研究中提供了显著优势。
  • 工业级可靠性: 从 SEMIKRON 晶闸管到高纯度多晶绝缘材料,每个组件的选择都基于其在专业实验室环境中承受连续工作周期的能力。
  • 精密工程真空完整性: 我们专有的双环密封技术和不锈钢法兰支架确保了真空密封环境,保护您的样品并确保对气氛敏感工艺的纯度。
  • 先进的安全与监控: 凭借用于实时跟踪的集成软件和多种自动关闭协议,您的实验室可以安心运行,确保用户和实验都受到保护。
  • 久经考验的性能卓越: 我们的系统因其一致性、能源效率和长期耐用性而受到全球领先大学和工业研究机构的信赖。

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