用于CVD和材料烧结的三温区高温真空管式炉

管式炉

用于CVD和材料烧结的三温区高温真空管式炉

货号: TU-GS06

最高温度: 1700°C(中心区)/ 1400°C(外围区) 控制精度: ±1°C 真空度: 最高可达 10^-3 Pa
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产品概述

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这款高性能三温区管式炉旨在为先进材料科学研究和工业生产提供极致的热处理灵活性。通过利用三个独立控制的加热段,该设备能够创造出更长、更稳定的等温区,或建立复杂的化学气相沉积(CVD)和升华工艺所需的精确温度梯度。卧式结构结合精密的双层外壳设计,确保在中心温区保持高达1700°C温度的同时,外部表面依然保持低温触感。

该系统专为严苛的实验室和工业环境设计,是高校、科研院所和矿业企业的首选。它在高温烧结、真空退火和受控气氛实验中表现出色。高纯多晶氧化铝纤维绝缘材料与先进加热元件的结合,提供了快速的升温和降温速率,显著提高了生产效率和能源利用率。该设备旨在提供一致且可重复的结果,确保关键研究数据和生产批次符合最严格的质量标准。

可靠性是该热处理系统的核心。从不锈钢真空法兰到精密PID控制器,每一个组件都经过精心挑选,以确保在连续运行下的长期耐用性。其坚固的设计可处理低至10-3 Pa的真空度,并支持多种气氛,包括还原性气体和惰性气体。无论是进行常规热处理还是复杂的材料合成,该设备都能提供高风险研发所需的精确技术和结构完整性。

主要特点

  • 独立控制的三温区加热: 设备具有三个独立的加热段,可分别设定不同温度。这允许用户补偿管端的散热,从而获得超宽的恒温场或用于气相传输应用的定制热梯度。
  • 先进的双元件配置: 为在宽温度范围内实现最佳性能,系统在外温区(1区和3区)采用优质碳化硅(SiC)棒,在中心温区(2区)采用高纯硅钼棒(MoSi2),确保在高达1700°C的温度下稳定运行。
  • 精密软件控制系统: 配备日本岛电(Shimaden)FP93可编程温控仪,提供40段温度控制。集成的通信接口支持实时PC监控、数据记录和曲线绘制,确保热循环过程完全可追溯。
  • 高性能真空密封: 炉体采用双层硅胶O型圈技术和不锈钢法兰,保持卓越的气密性。系统设计可在不发生形变的情况下保持真空压力超过12小时,支持高真空下的敏感工艺。
  • 卓越的隔热性能: 炉膛内衬优质多晶氧化铝纤维,以高反射率、低热容和抗收缩性著称。这确保了温度场的平衡并防止粉末脱落,从而保持加工环境的纯净。
  • 全面的安全保护: 内置行程开关,在炉盖打开时自动切断电源。此外,设备还包括漏电保护、超温报警和自动断路器,以保护操作人员和内部组件。
  • 稳健的气体处理: 系统标配浮子流量计,用于精确的气体输送。用户可升级为数字质量流量控制器(质子流量计),以便在CVD或还原工艺中实现自动化且更精确的气氛管理。
  • 移相触发晶闸管控制: 这种先进的功率调节方法确保向加热元件平稳供电,延长其使用寿命,并比标准的开关控制提供更稳定的温度过渡。
  • 结构耐用性: 专门的法兰支架消除了真空硬件重量对刚玉工艺管产生的机械应力,显著延长了耗材的使用寿命。
  • 多功能法兰接口: 标准不锈钢法兰配有真空计、KF25波纹管和气阀接口,为不同实验需求提供了模块化的系统配置方案。

应用领域

应用 描述 主要优势
化学气相沉积 (CVD) 使用气相前驱体合成碳纳米管、石墨烯和薄膜。 精确控制基底上的气体分解和沉积速率。
扩散退火 对铁镍铜及其他先进合金进行1000°C均匀化处理,消除内应力。 卓越的均匀性可防止扩散速率偏差,确保结构一致性。
碳纳米管接枝 将纳米管生长在大规模碳纤维束上,用于复合材料增强。 在整个纤维束长度上保持最佳催化温度。
氮掺杂 将氮原子精确引入半导体材料或碳结构中。 独立温区控制可实现定制的掺杂比例和反应动力学。
真空烧结 在高纯度、无空气环境中固结陶瓷或金属粉末。 防止氧化,获得更高密度和纯度的最终烧结件。
气氛热处理 在还原性(如氢气)或惰性(如氩气)气体环境中处理材料。 可靠的密封和流量控制实现了安全稳定的气氛条件。
高温等温测试 材料在恒定温度下的长期热稳定性测试。 三温区设置消除了端部冷却损失,提供了更长的炉膛有效中心区。
晶体生长 利用温度梯度进行气相传输或布里奇曼法(Bridgman)晶体生长。 高度稳定且可调的热梯度促进了高质量晶体的形成。

技术规格

参数 TU-GS06-I TU-GS06-II TU-GS06-III
最高温度 1区: 1400°C / 2区: 1700°C / 3区: 1400°C 1区: 1400°C / 2区: 1700°C / 3区: 1400°C 1区: 1400°C / 2区: 1700°C / 3区: 1400°C
额定温度 1区: 1350°C / 2区: 1700°C / 3区: 1350°C 1区: 1350°C / 2区: 1700°C / 3区: 1350°C 1区: 1350°C / 2区: 1700°C / 3区: 1350°C
管径尺寸 (外径x长) 直径 60mm x 1500mm 直径 80mm x 1500mm 直径 100mm x 1500mm
加热元件 Z1/Z3: SiC棒; Z2: MoSi2棒 Z1/Z3: SiC棒; Z2: MoSi2棒 Z1/Z3: SiC棒; Z2: MoSi2棒
热电偶类型 S型 (Z1/Z3) / B型 (Z2) S型 (Z1/Z3) / B型 (Z2) S型 (Z1/Z3) / B型 (Z2)
额定功率 10 KW 10 KW 10 KW
电压 / 相数 380V / 三相 380V / 三相 380V / 三相
升温速率 建议 ≤10°C/min (最高 ≤20°C/min) 建议 ≤10°C/min (最高 ≤20°C/min) 建议 ≤10°C/min (最高 ≤20°C/min)
控制精度 ± 1 ℃ ± 1 ℃ ± 1 ℃
加热长度 每区 210mm 每区 210mm 每区 210mm
恒温长度 每区 80-100mm 每区 80-100mm 每区 80-100mm
炉膛材料 多晶氧化铝纤维 多晶氧化铝纤维 多晶氧化铝纤维
触发类型 移相触发 移相触发 移相触发
真空度 (标准) 约 10 Pa (2XZ-2 泵) 约 10 Pa (2XZ-2 泵) 约 10 Pa (2XZ-2 泵)
真空度 (高) 高达 10-3 Pa (分子泵系统) 高达 10-3 Pa (分子泵系统) 高达 10-3 Pa (分子泵系统)
控制器 Shimaden FP93 (40条程序) Shimaden FP93 (40条程序) Shimaden FP93 (40条程序)
表面温度 ≤ 45℃ ≤ 45℃ ≤ 45℃

为什么选择这款三温区管式炉

  • 卓越的温度均匀性: 通过对三个独立加热区的分别调节,系统能够补偿管端的自然散热,提供比单温区替代产品更大、更精确的等温处理区域。
  • 精密工程与制造质量: 从SEMIKRON晶闸管到日本岛电(Shimaden)控制器,每一个关键电气组件均采购自行业领先的制造商,以确保长期的运行可靠性和精度。
  • 集成的安全与监控: 机械安全开关、漏电保护和实时PC软件监控的结合,为高温实验创造了安全环境,降低了设备故障或样品损失的风险。
  • 可定制的气氛和真空选项: 无论您的工艺需要机械泵进行常规真空处理,还是需要进口分子泵实现高纯环境,该系统均可配置特定的真空系统和气体流量控制器,以满足您的确切规格需求。
  • 增强的耗材寿命: 我们独特的法兰支撑支架系统通过承担不锈钢密封硬件的重量,防止了刚玉管损坏,这在低质量设计中是一个常见的故障点。

该设备代表了您设施热处理能力的一项优质投资,旨在应对工业研发的严苛要求,同时提供无与伦比的精度。请立即联系我们的工程团队获取正式报价,或讨论针对您特定材料科学应用的定制配置。

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